最近，俄罗斯国家研究型技术大学莫斯科国家钢铁合金学院(NUST MISIS)工作人员提出了一种形成层状二硫化钽隐藏潜在状态的理论，以确保二硫化钽可以用来长期存储信息，并能以超快的速度处理信息。相关论文发表在《科学报告》杂志上。
二硫化钽是一种有前途的现代微电子材料。2014年，谢尔盖·布拉佐夫斯基与斯洛文尼亚的同行一起发现了其隐藏的潜在状态。他们使用超短激光或电子脉冲照射尺寸小于100纳米的二硫化钽样品，使样品从绝缘体变成导体（或相反），比现代计算机中充满记忆载体的最快材料快几倍，照射后状态没有消失，而是保存了下来。因此，这种材料有潜力成为新一代信息载体的候选人。
研究人员解释说：在斯洛文尼亚同行发现物质在普通相位物质无法实现的隐藏潜在状态后，各种杂志上出现了一大波这方面的科研文章。然而，大量的文章只是实验性的，理论滞后。也就是说，这种状态可以在许多实验室中得到，但为什么它恰好处于这种状态，它的形成机制和整体性质仍不得而知。现在，我们已经探索了发生过程的理论基础。这种理论模型可以用来描述新发现状态最重要的性质：纳米结构镶嵌块的形成和变化。
